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Efecto del porcentaje de cobalto y temperatura de recocido en películas delgadas semiconductoras de óxido de níquel sobre el tamaño de los cristales y la conductividad eléctrica utilizando la técnica drx y el método de cuatro puntas.

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dc.contributor.advisor Diaz Diaz, Alex Fabián
dc.contributor.author Vasquez Arribasplata, Felipe Gonzalo
dc.contributor.author Rodriguez Rios, Ander Gloyer
dc.date.accessioned 2018-08-29T16:18:11Z
dc.date.available 2018-08-29T16:18:11Z
dc.date.issued 2018-04
dc.identifier.uri http://dspace.unitru.edu.pe/handle/UNITRU/10625
dc.description In this investigation thin films of NiO doped with cobalt of 90 nm of thickness have been prepared, these were deposited by spinning coating on borosilicate glass substrates of 12mm x 12 mm x 1mm, through the sol-gel method, the same ones that are evaluated the effect of the molar percentage (3, 5 and 7%) of dopant and the annealing temperature of (250,300 and 350 ° C) that influencing the electrical, optical properties and in the same way there being a relationship with the crystalline structure. X-ray diffraction measurements (u.a) and intensity patterns of the UV-Vis absorption bands (u.a) show that with the method used thin films of NiO have an FCC structure (figures 3.8 - 3.10), As the annealing temperature increases, its crystal sizes increase, however the cobalt dopant decreases it, the size details and network parameters in each temperature and percentage (table 3.2). The percentage of Co and in the annealing temperature increase the bandwidth forbidden (Eg) are decreased, obtained in 3.26 eV the lowest value of this investigation and displace the exciton peak towards higher energies, evidencing a regime of quantum confinement. The resistivity and electrical conductivity of the films show that while the amount of dopant and the annealing temperature increase the electrical resistivity decreases while the electrical conductivity increases. Obtaining at 350 ° c and 7% doped 8.19 x 10-6 Ω -1 cm-1, this being the highest conductivity value obtained. es_PE
dc.description.abstract En esta investigación se han preparado películas delgadas de NiO dopadas con cobalto de 90 nm de espesor, estas fueron depositadas por spinning coating sobre sustratos de vidrio borosilicato de 12mm x 12 mm x 1mm, a través del método sol-gel, las mismas que son evaluadas el efecto del porcentaje molar ( 3, 5 y 7 %) de dopante y la temperatura de recocido de (250,300 y350 °C) que influyendo sobre las propiedades eléctricas, ópticas y de la misma forma existiendo una la relación con la estructura cristalina. Las mediciones de difracción de rayos X (u.a.) y los patrones de la intensidad de las bandas de absorción UV – Vis (u.a.) evidencian que con el método utilizado las películas delgadas de NiO presentan una estructura FCC (figuras 3.8 - 3.10), a medida que aumenta la temperatura de recocido sus tamaños de cristal aumentan, sin embargo el dopante cobalto la disminuye, los detalles de tamaño y parámetro de red en cada temperatura y porcentaje (tabla 3.2). El porcentaje de Co y en la temperatura de recocido aumentan el ancho de banda prohibida (Eg) se disminuyen, obtenido en 3.26 eV el menor valor de esta investigación y desplazan el pico del excitón hacia mayores energías, evidenciando un régimen de confinamiento cuántico. La resistividad y conductividad eléctrica de las películas se observa que mientras la cantidad de dopante y la temperatura de recocido aumentan la resistividad eléctrica disminuye mientras la conductividad eléctrica aumenta. Obteniéndose a 350°c y 7% de dopado 8.19 x 10-6 Ω -1 cm-1 siendo este el valor de conductividad mayor obtenido. es_PE
dc.description.uri Tesis es_PE
dc.language.iso spa es_PE
dc.publisher Universidad Nacional de Trujillo es_PE
dc.relation.ispartofseries Tmat;Tmat
dc.rights info:eu-repo/semantics/openAccess es_PE
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/pe/ es_PE
dc.source Universidad Nacional de Trujillo es_PE
dc.source Repositorio institucional - UNITRU es_PE
dc.subject Conductividad electrica es_PE
dc.title Efecto del porcentaje de cobalto y temperatura de recocido en películas delgadas semiconductoras de óxido de níquel sobre el tamaño de los cristales y la conductividad eléctrica utilizando la técnica drx y el método de cuatro puntas. es_PE
dc.type info:eu-repo/semantics/bachelorThesis es_PE
thesis.degree.level Título Profesional es_PE
thesis.degree.name Ingeniero de Materiales es_PE
thesis.degree.discipline Ingeniería es_PE
thesis.degree.grantor Universidad Nacional de Trujillo. Facultad de Ingeniería es_PE


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