Browsing by Author "Vasquez Arribasplata, Felipe Gonzalo"

Now showing 1 - 1 of 1
  • No Thumbnail Available
    Item
    Efecto del porcentaje de cobalto y temperatura de recocido en películas delgadas semiconductoras de óxido de níquel sobre el tamaño de los cristales y la conductividad eléctrica utilizando la técnica drx y el método de cuatro puntas.
    (Universidad Nacional de Trujillo, 2018-04) Vasquez Arribasplata, Felipe Gonzalo; Rodriguez Rios, Ander Gloyer; Diaz Diaz, Alex Fabián
    En esta investigación se han preparado películas delgadas de NiO dopadas con cobalto de 90 nm de espesor, estas fueron depositadas por spinning coating sobre sustratos de vidrio borosilicato de 12mm x 12 mm x 1mm, a través del método sol-gel, las mismas que son evaluadas el efecto del porcentaje molar ( 3, 5 y 7 %) de dopante y la temperatura de recocido de (250,300 y350 °C) que influyendo sobre las propiedades eléctricas, ópticas y de la misma forma existiendo una la relación con la estructura cristalina. Las mediciones de difracción de rayos X (u.a.) y los patrones de la intensidad de las bandas de absorción UV – Vis (u.a.) evidencian que con el método utilizado las películas delgadas de NiO presentan una estructura FCC (figuras 3.8 - 3.10), a medida que aumenta la temperatura de recocido sus tamaños de cristal aumentan, sin embargo el dopante cobalto la disminuye, los detalles de tamaño y parámetro de red en cada temperatura y porcentaje (tabla 3.2). El porcentaje de Co y en la temperatura de recocido aumentan el ancho de banda prohibida (Eg) se disminuyen, obtenido en 3.26 eV el menor valor de esta investigación y desplazan el pico del excitón hacia mayores energías, evidenciando un régimen de confinamiento cuántico. La resistividad y conductividad eléctrica de las películas se observa que mientras la cantidad de dopante y la temperatura de recocido aumentan la resistividad eléctrica disminuye mientras la conductividad eléctrica aumenta. Obteniéndose a 350°c y 7% de dopado 8.19 x 10-6 Ω -1 cm-1 siendo este el valor de conductividad mayor obtenido.