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dc.contributor.advisorRoldán López, José Angel
dc.contributor.authorPrieto Murcia, Antolín
dc.date.accessioned2020-09-23T18:17:24Z
dc.date.available2020-09-23T18:17:24Z
dc.date.issued2020
dc.identifier.urihttp://dspace.unitru.edu.pe/handle/UNITRU/16280
dc.descriptionABSTRACT In the present work, a study of the Voltage - Current behavior of the metal - semiconductor junctions in the superconductive state has been carried out. The total current density J was obtained at the contact point Metal semiconductor superconductor, taking into account the number of electrons that cross the potential barrier that is within certain energy ranges. The calculations were made in the context of the approximation of the Schockley theory. Fermi-Dirac statistics were used at very low temperatures for the distribution and transport of electrons and holes through the metal - semiconductor junction. To calculate the density of charge carriers (electrons and holes), in addition to the Fermi-Dirac distribution law, the density of states of electrons and holes was applied. In the superconducting state the density of states includes a superconducting energy gap of the BCS theory of superconductivity. Intensity - Voltage for the metal - semiconductor superconductor contact is related considering the thermoelectronic emission current. It was shown that the transition from the semiconductor to the superconducting state, leads to the decrease of the current through the contact in the Voltage range, which is determined with the height of the potential barrier and the energy gap parameter of the superconductores_PE
dc.description.abstractRESUMEN En el presente trabajo, se ha realizado un estudio del comportamiento Voltaje – Corriente de las uniones metal – semiconductor en el estado superconductor. Se obtuvo la densidad de corriente total, J, en el punto de contacto Metal semiconductor superconductor, teniendo en cuenta la cantidad de electrones que atraviesa la barrera de potencial que se encuentra dentro de ciertos intervalos de energía. Los cálculos se hicieron en el contexto de la aproximación de la teoría de Schockley. Se utilizó la estadística de Fermi-Dirac a muy bajas temperaturas para la distribución y transporte de electrones y huecos a través de la unión metal – semiconductor. Para el cálculo de la densidad de portadores de carga (electrones y huecos), además de la ley de distribución de Fermi-Dirac, se aplicó la densidad de estados de los electrones y huecos. En el estado superconductor la densidad de estados incluye una brecha de energía superconductora de la teoría BCS de la superconductividad. Se relacionan Intensidad – Voltaje para el contacto metal – semiconductor superconductor considerando la corriente de emisión termoelectrónica. Se demostró que la transición del semiconductor al estado superconductor, conduce a la disminución de la corriente a través del contacto en el intervalo de Tensión, que se determina con la altura de la barrera de potencial y el parámetro de la brecha energética del superconductor.es_PE
dc.description.uriTesises_PE
dc.language.isospaes_PE
dc.publisherUniversidad Nacional de Trujilloes_PE
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_PE
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/pe/es_PE
dc.sourceUniversidad Nacional de Trujilloes_PE
dc.sourceRepositorio institucional - UNITRUes_PE
dc.subjectMetal - semiconductor contactes_PE
dc.subjectSuperconducting statees_PE
dc.subjectPotential barrieres_PE
dc.subjectState densityes_PE
dc.subjectSuperconducting energy gapes_PE
dc.titleCaracterística Intensidad-Voltaje en el contacto metal – semiconductor superconductores_PE
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/masterThesises_PE
thesis.degree.levelMaestríaes_PE
thesis.degree.nameMaestro en Ciencias Físicases_PE
thesis.degree.disciplineMaestría en Ciencias Físicases_PE
thesis.degree.grantorUniversidad Nacional de Trujillo.Escuela de Posgradoes_PE


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