Efecto de la temperatura de recocido sobre la densidad y movilidad de portadores de carga de películas semiconductoras de nio dopadas a una concentración 3 molar con nanoparticulas de oro

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dc.contributor.advisorDiaz Diaz, Alex Fabián
dc.contributor.authorChavez Vasquez, Billy Ray
dc.date.accessioned10/18/2017 9:42
dc.date.available10/18/2017 9:42
dc.date.issued2017-01
dc.descriptionThis research was accomplished to evaluate the effect of annealing temperature on the number and mobility of charge carriers of NiO semiconductor films doped at a concentration 3 Molar with gold nanoparticles (NpAu). The doping of NiO with at a concentration 3 Molar with gold nanoparticles (NpAu) was held by synthesizing Sol - Gel, and the manufacture of thin films were prepared (Deposition) by using of the technique called Spin - coating and annealed at various temperatures (200 ° C, 300 ° C and 400 ° C). The characterization of thin films to study their optical and electrical propertiesl were carried out by testing Absorption Spectroscopy in the ultraviolet – visible and the technique of four point based on the method of Lord Kelvin , the method based on the Hall effect. At the annealing temperature of 400°C the mobility of carriers of more appropriate cargo, was achieved 2.168 𝑐𝑚2/𝑉. 𝑠. Also, the best density of cargo carriers was obtained 1.16𝑥1013 𝑐𝑚−3 achieved 200°C of annealing. In conclusion it could be said that 400°C is the most suitable annealing temperature for the doping of NiO with at a concentration 3 Molar with gold nanoparticles (NpAu), as it improves its optical properties (Lower value of the energy gap) and its electrical properties (Higher value of electrical conductivity).es_PE
dc.description.abstractEn esta investigación se logró evaluar el efecto de la temperatura de recocido sobre la densidad y movilidad de portadores de carga de películas semiconductoras de NiO dopadas a una concentración 3 Molar con nanopartículas de oro (NpAu). Se llevó a cabo el dopaje del NiO con las nanopartículas de oro (NpAu) mediante la síntesis Sol – Gel, la fabricación de las películas delgadas fueron elaboradas (Deposición) mediante el uso de la técnica llamada “Spin – coating” y recocidas a diversas temperaturas (200°C, 300°C y 400°C). La caracterización de las películas delgadas para el estudio de sus propiedades ópticas y eléctricas se llevó a cabo mediante los ensayos de Espectroscopia de absorción en el ultravioleta – visible y la técnica de cuatro puntas basado en el método de Lord Kelvin, el método basado en el fenómeno de efecto Hall. A la temperature de recocido de 400°C se logró la movilidad de portadores de carga mas apropiado, que fue 2.168 𝑐𝑚2/𝑉. 𝑠. Asi mismo se obtuvo la mejor densidad de portadores de carga que fue 1.16𝑥1013 𝑐𝑚−3 logrado a 200°C de recocido. En conclusion se podría decir que 400°C es la temperatura mas adecuada de recocido para el NiO dopadas a una concentración 3 Molar con nanopartículas de oro (NpAu), ya que se mejora sus propiedades ópticas (Menor valor de la brecha energética) y sus propiedades eléctricas (Mayor valor de la conductividad eléctrica)es_PE
dc.description.uriTesises_PE
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.14414/8951
dc.language.isospaes_PE
dc.publisherUniversidad Nacional de Trujilloes_PE
dc.relation.ispartofseriesTmat 9310;9310
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_PE
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/pe/es_PE
dc.sourceUniversidad Nacional de Trujilloes_PE
dc.sourceRepositorio institucional - UNITRUes_PE
dc.subjectTemperatura de recocidoes_PE
dc.titleEfecto de la temperatura de recocido sobre la densidad y movilidad de portadores de carga de películas semiconductoras de nio dopadas a una concentración 3 molar con nanoparticulas de oroes_PE
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesises_PE
thesis.degree.disciplineIngeniería de materialeses_PE
thesis.degree.grantorUniversidad Nacional de Trujillo Facultad de Ingenieríaes_PE
thesis.degree.levelTítulo Profesionales_PE
thesis.degree.nameIngeniero de Materialeses_PE
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Temperatura de recocido
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