Efecto del porcentaje molar de ag y temperatura de recocido sobre el tamaño de grano y conductividad eléctrica en películas semiconductoras de zno por el método sol-gel
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Date
2019
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Publisher
Universidad Nacional de Trujillo
Abstract
En la presente investigación se elaboraron películas de óxido de zinc (ZnO) a una
concentración de 0.3 M, dopadas con nanopartículas de plata (AgNPs), las cuales fueron
sintetizadas por el método sol – gel y depositadas en sustratos de vidrio (portaobjetos) de
dimensiones 10mm x 10mm x 2mm por el método de spin coating. Se evaluó la influencia
de la temperatura de recocido (400, 500 y 600°C) y el porcentaje molar de AgNps (1, 3 y
5%) sobre el tamaño de grano y la conductividad eléctrica. Las muestras se caracterizaron
por difracción de rayos X (DRX) y el tamaño de grano se determinó mediante la ecuación
de Scherrer, además la conductividad se midió por el método de 4 puntos de Lord Kelvin.
Los resultados de DRX confirmaron que el material observado es ZnO policristalino con
estructura de wurtzita y estos corresponden a los picos de ZnO estándar (JCPDS 36-1451).
En las peliculas recocidas a 600ºC se observó un pico DRX que corresponde al plano (1
1 1) con ángulo 2θ = 38.8º, el cual se debe a la fase de Ag metalica fcc según (JCPDS04-
0783). Se determinó que al incrementar la temperatura de recocido, el tamaño de grano
aumenta obteniendo un valor máximo de 27,359nm, también se determinó que al
incrementar el porcentaje molar mayor de 3% de AgNps, el tamaño de grano disminuye.
También se determinó que la conductividad eléctrica aumenta al incrementar la
temperatura de recocido obteniendo el mejor resultado para las películas de ZnO con 3%
molar de AgNps recocidas a 600ºC con un valor igual a 7.42 x 102 (Ωcm)-1.
Description
In the present investigation, zinc oxide (ZnO) films were prepared at a concentration of
0.3 M, doped with silver nanoparticles (AgNPs), which were synthesized by the sol-gel
method and deposited on glass substrates (slides) of dimensions 10 mm x 10 mm x 2 mm
by spin coating method. The influence of the annealing temperature (400, 500 and 600
°C) and the molar percentage of AgNps (1, 3 and 5%) on the grain size and electrical
conductivity were evaluated. The samples were characterized by X-ray diffraction (XRD)
and the grain size was determined by the Scherrer equation, and the conductivity was
measured by Lord Kelvin's 4-point method. The XRD results confirmed that the observed
material is polycrystalline ZnO with wurtzite structure and these correspond to the
standard ZnO peaks (JCPDS 36-1451). In films annealed at 600ºC, a DRX peak was
observed corresponding to the plane (1 1 1) with angle 2θ = 38.8º, which is due to the
metal Ag phase fcc according to (JCPDS04-0783). It was determined that by increasing
the annealing temperature, the grain size increases obtaining a maximum value of
27.359nm, it was also determined that by increasing the molar percentage higher than 3%
AgNps, the grain size decreases. It was also determined that the electrical conductivity
increases when the annealing temperature is increased obtaining the best result for the
ZnO films with 3 mol% of AgNps annealed at 600ºC with a value equal to 7.42 x 102
(Ωcm)-1.
Keywords
Zinc