Aguilar Castro, Wilder MLeón León, Henry Eduardo8/17/20178/17/20172014https://hdl.handle.net/20.500.14414/8471In the present research work yields the annealing temperature effect in the electric resistivity of SnO2 thin films synthesized for spray pyrolysis on soda lime glass substrates. The solutions were prepared using tin chloride dihydrate (SnCl2.2H2O) in methanol at 0,2 M under a magnetic processes of during 1 hour to 60 ºC. The SnO2 films annealing at different temperatures between 350 and 550 ºC in air for 1 hour. The X-rays diffraction patterns showed (110), (101), (200) y (211) peaks correspond to SnO2 tetragonal cassiterita structure. UV-vis spectroscopy measurement showed that the transmittance increment as increase the annealing temperature (> 85 %) in the visible spectrum, whereas the band gap wide suffer a soft increment, probably attributed to the grain size and the possible decrease of tin. The four-point method indicates that the synthesis temperature (320 ° C); had an electrical resistivity of 0.240 Ω.cm value, however, the films annealed at 350 ° C was 19,560 Ω.cm, 152.6 Ω.cm drastically increasing the annealing temperature to 550 ° CEn el presente trabajo de investigación se reporta el efecto de la temperatura de recocido en la resistividad eléctrica de las películas delgadas de SnO2 sintetizadas por rociado pirolítico sobre sustratos de vidrio sódico-cálcico. La solución fue preparada usando cloruro de estaño dihidratado (SnCl2.2H2O) disuelto en metanol a 0.2 M bajo un proceso de agitación magnética durante 1 hora a una temperatura de 60 ºC. Las películas de SnO2 se recocieron a diferentes temperaturas entre 350 y 550 ºC en aire por 1 hora. Los patrones de difracción por rayos X mostraron picos de difracción (110), (101), (200) y (211) correspondiente a la estructura tetragonal casiterita del SnO2. Mediciones de espectroscopia UV-Vis mostraron que la transmitancia aumenta conforme se incrementa la temperatura de recocido (> 85%) en el espectro visible, mientras que el ancho de banda prohibida sufre un ligero incremento, atribuido probablemente al tamaño de grano y posible disminución del estaño. El método de cuatro puntos indica que a la temperatura de síntesis (320 ºC); la resistividad eléctrica tuvo un valor de 0.240 Ω.cm, sin embargo, las películas recocidas a 350 ºC fue de 19.560 Ω.cm, aumentando drásticamente a 152.60 Ω.cm para la temperatura de recocido de 550 ºCspainfo:eu-repo/semantics/openAccessSemiconductor SnO2, Temperatura de recocido, Transmitancia ópticainfo:eu-repo/semantics/bachelorThesis