Diaz Diaz, Alex FabiánChavez Vasquez, Billy Ray10/18/201710/18/20172017-01https://hdl.handle.net/20.500.14414/8951This research was accomplished to evaluate the effect of annealing temperature on the number and mobility of charge carriers of NiO semiconductor films doped at a concentration 3 Molar with gold nanoparticles (NpAu). The doping of NiO with at a concentration 3 Molar with gold nanoparticles (NpAu) was held by synthesizing Sol - Gel, and the manufacture of thin films were prepared (Deposition) by using of the technique called Spin - coating and annealed at various temperatures (200 ° C, 300 ° C and 400 ° C). The characterization of thin films to study their optical and electrical propertiesl were carried out by testing Absorption Spectroscopy in the ultraviolet – visible and the technique of four point based on the method of Lord Kelvin , the method based on the Hall effect. At the annealing temperature of 400°C the mobility of carriers of more appropriate cargo, was achieved 2.168 𝑐𝑚2/𝑉. 𝑠. Also, the best density of cargo carriers was obtained 1.16𝑥1013 𝑐𝑚−3 achieved 200°C of annealing. In conclusion it could be said that 400°C is the most suitable annealing temperature for the doping of NiO with at a concentration 3 Molar with gold nanoparticles (NpAu), as it improves its optical properties (Lower value of the energy gap) and its electrical properties (Higher value of electrical conductivity).En esta investigación se logró evaluar el efecto de la temperatura de recocido sobre la densidad y movilidad de portadores de carga de películas semiconductoras de NiO dopadas a una concentración 3 Molar con nanopartículas de oro (NpAu). Se llevó a cabo el dopaje del NiO con las nanopartículas de oro (NpAu) mediante la síntesis Sol – Gel, la fabricación de las películas delgadas fueron elaboradas (Deposición) mediante el uso de la técnica llamada “Spin – coating” y recocidas a diversas temperaturas (200°C, 300°C y 400°C). La caracterización de las películas delgadas para el estudio de sus propiedades ópticas y eléctricas se llevó a cabo mediante los ensayos de Espectroscopia de absorción en el ultravioleta – visible y la técnica de cuatro puntas basado en el método de Lord Kelvin, el método basado en el fenómeno de efecto Hall. A la temperature de recocido de 400°C se logró la movilidad de portadores de carga mas apropiado, que fue 2.168 𝑐𝑚2/𝑉. 𝑠. Asi mismo se obtuvo la mejor densidad de portadores de carga que fue 1.16𝑥1013 𝑐𝑚−3 logrado a 200°C de recocido. En conclusion se podría decir que 400°C es la temperatura mas adecuada de recocido para el NiO dopadas a una concentración 3 Molar con nanopartículas de oro (NpAu), ya que se mejora sus propiedades ópticas (Menor valor de la brecha energética) y sus propiedades eléctricas (Mayor valor de la conductividad eléctrica)spainfo:eu-repo/semantics/openAccessTemperatura de recocidoinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesis