Aguilar Castro, Wilder MáximoRobles Melosevich, Kamilo Ysrael Michael3/28/20233/28/20232023https://hdl.handle.net/20.500.14414/16331The present research work aimed to study the influence of temperature on the charge carrier_x000D_ density (with Hall voltage) of CdS thin films deposited on glass substrates (soda lime glass)_x000D_ at temperatures of 300, 350 and 400 degrees celsius synthesized by the spray pyrolysis_x000D_ technique. The water aqueous solution was prepared basically with Cadmium Chloride_x000D_ hydrate (molarity 0.1 M) and Thiourea (molarity 0.1 M)._x000D_ The x-ray diffraction patterns (XRD) showed peaks of diffraction peaks (100), (002) and_x000D_ (101) corresponding to the wurtzite structure of CdS._x000D_ The four-point method probe showed that the resistive has a reverse relationship at synthesis_x000D_ of temperature, for the 300, 350 and 400 degrees celsius films were obtained (resultado) cm respectively._x000D_ Regarding to the charge carries density Hall effect, it was determined a direct relationship_x000D_ with the synthesis temperature, to layers of 300, 350 and 400 degrees celsius films, (see in pdf)La investigación tuvo como objetivo de estudio la influencia de la temperatura sobre la_x000D_ densidad de portadores de carga a través del efecto Hall, en películas delgadas de CdS_x000D_ depositadas sobre sustratos de vidrio (soda lime glass) a temperaturas de 300, 350 y 400_x000D_ grados centígrados sintetizadas mediante la técnica de rociado pirolítico. La solución acuosa fue preparada a partir de los reactivos de Cloruro de Cadmio hidratado (molaridad 0.1 M) y Tiourea (molaridad 0.1 M). Los patrones de difracción por rayos X (DRX) mostraron picos de difracción (100), (002) y (101) atribuidos a la estructura hexagonal del CdS._x000D_ El método de cuatro puntas indicó que la resistividad tiene una relación inversa a la_x000D_ temperatura de síntesis, para las películas de 300, 350 y 400 grados centígrados, se_x000D_ obtuvieron (resultado) cm respectivamente._x000D_ Usando el efecto hall, se determinó la densidad de portadores de carga para cada temperatura de síntesis de las películas de CdS a 300, 350 y 400 grados centígrados, obteniéndose los siguientes valores respectivamente (ver en pdf) _x000D_ .spainfo:eu-repo/semantics/openAccessPortadores de cargaSulfuro de CadmioRociado PirolíticoResistividadEfecto Hallinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesis