Influencia de la temperatura sobre la densidad de portadores de carga de películas delgadas de CdS sintetizadas por rociado pirolítico
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Date
2023
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Publisher
Universidad Nacional de Trujillo
Abstract
La investigación tuvo como objetivo de estudio la influencia de la temperatura sobre la_x000D_
densidad de portadores de carga a través del efecto Hall, en películas delgadas de CdS_x000D_
depositadas sobre sustratos de vidrio (soda lime glass) a temperaturas de 300, 350 y 400_x000D_
grados centígrados sintetizadas mediante la técnica de rociado pirolítico. La solución acuosa fue preparada a partir de los reactivos de Cloruro de Cadmio hidratado (molaridad 0.1 M) y Tiourea (molaridad 0.1 M). Los patrones de difracción por rayos X (DRX) mostraron picos de difracción (100), (002) y (101) atribuidos a la estructura hexagonal del CdS._x000D_
El método de cuatro puntas indicó que la resistividad tiene una relación inversa a la_x000D_
temperatura de síntesis, para las películas de 300, 350 y 400 grados centígrados, se_x000D_
obtuvieron (resultado) cm respectivamente._x000D_
Usando el efecto hall, se determinó la densidad de portadores de carga para cada temperatura de síntesis de las películas de CdS a 300, 350 y 400 grados centígrados, obteniéndose los siguientes valores respectivamente (ver en pdf) _x000D_
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Description
The present research work aimed to study the influence of temperature on the charge carrier_x000D_
density (with Hall voltage) of CdS thin films deposited on glass substrates (soda lime glass)_x000D_
at temperatures of 300, 350 and 400 degrees celsius synthesized by the spray pyrolysis_x000D_
technique. The water aqueous solution was prepared basically with Cadmium Chloride_x000D_
hydrate (molarity 0.1 M) and Thiourea (molarity 0.1 M)._x000D_
The x-ray diffraction patterns (XRD) showed peaks of diffraction peaks (100), (002) and_x000D_
(101) corresponding to the wurtzite structure of CdS._x000D_
The four-point method probe showed that the resistive has a reverse relationship at synthesis_x000D_
of temperature, for the 300, 350 and 400 degrees celsius films were obtained (resultado) cm respectively._x000D_
Regarding to the charge carries density Hall effect, it was determined a direct relationship_x000D_
with the synthesis temperature, to layers of 300, 350 and 400 degrees celsius films, (see in pdf)
Keywords
Portadores de carga, Sulfuro de Cadmio, Rociado Pirolítico, Resistividad, Efecto Hall