Evaluación de los parámetros de caracterización de celdas solares de silicio y de película delgada CdTe/CdS

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dc.contributor.advisorAguilar Marín, Pablo
dc.contributor.authorDiestra Rodriguez, Alexander
dc.date.accessioned8/1/2017 10:45
dc.date.available8/1/2017 10:45
dc.date.issued2012
dc.description.abstractEn este trabajo se ha estudiado la celda solar de silicio y celda solar tipo heterounión película delgada CdTe/CdS, con el propósito de hallar los parámetros que caracterizan a dichas celdas. En la investigación se procedió de acuerdo ha como sigue: Se revisó los mecanismos de formación de pares electrón-hueco. Se examinó las propiedades eléctricas del diodo semiconductor p-n caracterizada por la región de carga espacial, campo eléctrico, concentración de portadores, recombinación de las longitudes de difusión y de las corrientes de difusión y deriva. Para ello se utilizó la densidad de estados y las leyes de Fick. Se obtuvo la ecuación del diodo para la intensidad de corriente eléctrica en la unión p-n debido a los portadores de carga minoritarios y electrones. Se determinó la corriente oscura de saturación que es un parámetro básico que es una medida de los mecanismos de recombinación que tienen lugar en la celda solar. Se estudió las propiedades eléctricas de los semiconductores CdTe y CdS. Se examinó las propiedades de la heterounión de estos 2 semiconductores con propiedades físicas diferentes (ancho de banda prohibida, constante dieléctrica, función trabajo, constante de red, afinidad electrónica, concentración de portadores). Se analizó los parámetros que caracterizan a una celda solar: corriente de corto circuito, voltaje de circuito abierto y factor de llenado. La corriente de cortocircuito Isc, es la corriente generada por la luz, esto es_x000D_ , donde se aprecia que depende del voltaje (V) y la temperatura (T), IS es la corriente de saturación._x000D_ , es el voltaje circuito abierto, donde se puede ver que depende de la temperatura, la fotocorriente IL , la corriente de saturación IS; su valor depende de la juntura utilizada y varía muy poco con la intensidad luminosa._x000D_ , es el factor de llenado, donde se puede apreciar que depende del voltaje de circuito abierto (Voc), de la temperatura (T)es_PE
dc.description.uriTesises_PE
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.14414/8280
dc.language.isospaes_PE
dc.publisherUniversidad Nacional de Trujilloes_PE
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_PE
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/pe/es_PE
dc.sourceUniversidad Nacional de Trujilloes_PE
dc.sourceRepositorio institucional - UNITRUes_PE
dc.subjectPropiedades eléctricas, Parámetros de caracterización, Celdas solareses_PE
dc.titleEvaluación de los parámetros de caracterización de celdas solares de silicio y de película delgada CdTe/CdSes_PE
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesises_PE
thesis.degree.disciplineFísicaes_PE
thesis.degree.grantorUniversidad Nacional de Trujillo.Facultad de Ciencias Físicas y Matemáticases_PE
thesis.degree.levelTítulo Profesionales_PE
thesis.degree.nameLicenciado en Físicaes_PE
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Tesis de Física