Influencia de la temperatura de síntesis sobre la estructura cristalina y rugosidad de películas delgadas de MoN preparadas por pulverización magnética con corriente continua

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dc.contributor.advisorGuevara Vera, Manuel Enrique
dc.contributor.authorDe La Cruz Flores, José Luis
dc.date.accessioned1/31/2019 9:59
dc.date.available1/31/2019 9:59
dc.date.issued2018
dc.descriptionThin lms of molybdenum (Mo) and Molybdenum Nitride (Mo2N) have properties such_x000D_ as high melting point, high conductivity, good chemical stability and high hardness. Due to_x000D_ their remarkable properties they are of great use in microelectronics, and solar cells. The objective of the study was to determine the e ect of the synthesis temperature on the crystalline structure and the roughness of the thin lms of molybdenum nitride. The Molybdenum and Molybdenum Nitride lms were deposited on silicon substrates of preferential direction (111) type n by means of the direct current reactive magnetron sputtering. For which a pre vacuum was made and then high vacuum, the Argon gas was added, a DC voltage was applied and then the Nitrogen gas with certain pressure parameters, the target was high purity molybdenum and lms were obtained at di erent temperatures during the time of 10 minutes. To know the crystalline structure of the thin lms, an X-ray di ractometer was used and an atomic force microscope was used to determine the roughness. Noting that the crystalline structure does not change with increasing temperature, the roughness of the molybdenum nitride lms decreases from 1.093 nm to 0.602 nm as the temperature increases. Mo2N lms were obtained, where the crystalline structure does not change and the roughness decreased as the temperature increaseses_PE
dc.description.abstractLas películas delgadas de molibdeno (Mo) y Nitruro de Molibdeno (Mo2N) tienen propiedades como alto punto de fusión, alta conductividad, buena estabilidad química y alta dureza. Debido a sus notables propiedades son de gran uso en microelectrónica, y celdas solares. El objetivo de estudio fue determinar el efecto de la temperatura de síntesis sobre la estructura cristalina y la rugosidad de las películas delgadas de nitruro de molibdeno._x000D_ Las películas de Molibdeno y Nitruro de Molibdeno se depositaron en sustratos de silicio de dirección preferencial (111) tipo n mediante la técnica de pulverización magnética reactiva con corriente directa. Para lo cual se hizo un pre vacío y luego alto vacío, se agregó el gas Argón, se aplicó un voltaje DC y luego el gas Nitrógeno con ciertos parámetros de presión, el blanco fue molibdeno de alta pureza y se obtuvieron películas a diferentes temperaturas durante el tiempo de 10 minutos. Para saber la estructura cristalina de las películas delgadas se utilizó un difractómetro de rayos X y para determinar la rugosidad un microscopio de fuerza atómica. Observándose que la estructura cristalina no cambia al aumentar la temperatura, la rugosidad de las películas de nitruro de molibdeno disminuye de 1.093 nm a 0.602 nm conforme aumento la temperatura. Se obtuvieron películas de Mo2N, donde la estructura cristalina no cambia y la rugosidad disminuyó conforme la temperatura aumentaes_PE
dc.description.uriTesises_PE
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.14414/11335
dc.language.isospaes_PE
dc.publisherUniversidad Nacional de Trujilloes_PE
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_PE
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/pe/es_PE
dc.sourceUniversidad Nacional de Trujilloes_PE
dc.sourceRepositorio institucional - UNITRUes_PE
dc.subjectNitruro de molibdenoes_PE
dc.subjectEstructura cristalinaes_PE
dc.subjectRugosidades_PE
dc.titleInfluencia de la temperatura de síntesis sobre la estructura cristalina y rugosidad de películas delgadas de MoN preparadas por pulverización magnética con corriente continuaes_PE
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesises_PE
thesis.degree.disciplineFísicaes_PE
thesis.degree.grantorUniversidad Nacional de Trujillo.Facultad de Ciencias Físicas y Matemáticases_PE
thesis.degree.levelTítulo Profesionales_PE
thesis.degree.nameLicenciado en Físicaes_PE
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