Estudio de la resistividad a bajas temperaturas de películas delgadas de nitruro de tántalo sintetizadas por pulverización catódica DC

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dc.contributor.advisorGuevara Vera, Manuel Enrique
dc.contributor.authorRodriguez Osorio, Cesar Manuel
dc.date.accessioned2019-12-03T17:33:47Z
dc.date.available2019-12-03T17:33:47Z
dc.date.issued2019
dc.descriptionABSTRACT In this research the resistivity at low temperatures of tantalum nitride thin films were studied, due to the multiple applications that these films have in various industrial fields, and specially in microelectronics and aerospace field; hence the relevance of being able to extend the knowledge about them. The films were synthesized by the direct current sputtering technique, using a silicon substrate (111) and for its characterization, equipment such as X-ray diffractometer, Michelson interferometer, ellipsometer, nanovoltmeter, precision current source and a Fluke digital thermometer. The synthesis process consisted of Ar/ N2 pressure of 5.7 𝑥 10−3 mb for 10 minutes at a substrate temperature of 470 °C. The DRX analysis indicated the presence of tantalum nitride FCC, network parameter a = 4.35 Å, grain size of 82.6 Å, and a linear relationship in the temperature - dependent resistivity, with resistivity values of 3.4×104Ω.𝑐𝑚 𝑦 4.2×104Ω.𝑐𝑚 in the temperature range 296 K – 90 K respectively, considering a film thickness of 60.57 nm. The Temperature Coefficient of Resistance was −1.2×10−9𝑝𝑝𝑚/𝐾. From the linear relationship I conclude that the films show a semiconductor behaviour which is reaffirmed with the negative value of the TCR and that the films are ideal for the manufacture of precision electronic components.es_PE
dc.description.abstractRESUMEN En el presente trabajo de investigación se estudió la resistividad eléctrica a bajas temperaturas de películas delgadas de nitruro de tántalo, debido a las múltiples aplicaciones que tienen estas películas en diversos campos industriales, y sobre todo en microelectrónica y el campo aeroespacial; de ahí la relevancia de poder extender los conocimientos sobre ellas. Se sintetizaron las películas por la técnica de pulverización catódica con fuente de corriente continua, utilizando un sustrato de silicio (111) y para su caracterización, equipos como Difractómetro de rayos X, interferómetro de Michelson, elipsómetro, nano voltímetro, fuente de corriente de precisión y un termómetro digital Fluke. El proceso de síntesis consistió en una presión Ar/ N2 de 5.7 𝑥 10−3 mb durante 10 minutos a una temperatura del sustrato de 470° C. El análisis de DRX indicó la presencia de nitruro de tántalo FCC, parámetro de red a = 4.35 Å, tamaño de grano de 82.6 Å; y la resistividad en función de la temperatura muestra una relación líneal, con valores de resistividad de 3.4×104Ω.𝑐𝑚 𝑦 4.2×104Ω.𝑐𝑚 en el rango de temperaturas 296 K – 90 K respectivamente, considerando un espesor de la película de 60.57 nm. El coeficiente de temperatura de resistencia es −1.2×10−9𝑝𝑝𝑚/𝐾. De la relación lineal concluimos que las películas muestran un comportamiento semiconductor el cual se reafirma con el valor negativo del TCR y que estas películas son ideales para la fabricación de componentes electrónicos de precisión.es_PE
dc.description.uriTesises_PE
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.14414/15261
dc.language.isospaes_PE
dc.publisherUniversidad Nacional de Trujilloes_PE
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_PE
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/pe/es_PE
dc.sourceUniversidad Nacional de Trujilloes_PE
dc.sourceRepositorio institucional - UNITRUes_PE
dc.subjectNitruro de tántaloes_PE
dc.subjectPulverización catódica DCes_PE
dc.subjectResistividad eléctricaes_PE
dc.subjectPelículas delgadases_PE
dc.titleEstudio de la resistividad a bajas temperaturas de películas delgadas de nitruro de tántalo sintetizadas por pulverización catódica DCes_PE
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/masterThesises_PE
thesis.degree.disciplineMaestría en Ciencias Físicases_PE
thesis.degree.grantorUniversidad Nacional de Trujillo.Escuela de Posgradoes_PE
thesis.degree.levelMaestríaes_PE
thesis.degree.nameMaestro en Ciencias Físicases_PE
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