Influencia de la temperatura sobre la densidad de portadores de carga de películas delgadas de CdS sintetizadas por rociado pirolítico

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dc.contributor.advisorAguilar Castro, Wilder Máximo
dc.contributor.authorRobles Melosevich, Kamilo Ysrael Michael
dc.date.accessioned3/28/2023 12:01
dc.date.available3/28/2023 12:01
dc.date.issued2023
dc.descriptionThe present research work aimed to study the influence of temperature on the charge carrier_x000D_ density (with Hall voltage) of CdS thin films deposited on glass substrates (soda lime glass)_x000D_ at temperatures of 300, 350 and 400 degrees celsius synthesized by the spray pyrolysis_x000D_ technique. The water aqueous solution was prepared basically with Cadmium Chloride_x000D_ hydrate (molarity 0.1 M) and Thiourea (molarity 0.1 M)._x000D_ The x-ray diffraction patterns (XRD) showed peaks of diffraction peaks (100), (002) and_x000D_ (101) corresponding to the wurtzite structure of CdS._x000D_ The four-point method probe showed that the resistive has a reverse relationship at synthesis_x000D_ of temperature, for the 300, 350 and 400 degrees celsius films were obtained (resultado) cm respectively._x000D_ Regarding to the charge carries density Hall effect, it was determined a direct relationship_x000D_ with the synthesis temperature, to layers of 300, 350 and 400 degrees celsius films, (see in pdf)es_PE
dc.description.abstractLa investigación tuvo como objetivo de estudio la influencia de la temperatura sobre la_x000D_ densidad de portadores de carga a través del efecto Hall, en películas delgadas de CdS_x000D_ depositadas sobre sustratos de vidrio (soda lime glass) a temperaturas de 300, 350 y 400_x000D_ grados centígrados sintetizadas mediante la técnica de rociado pirolítico. La solución acuosa fue preparada a partir de los reactivos de Cloruro de Cadmio hidratado (molaridad 0.1 M) y Tiourea (molaridad 0.1 M). Los patrones de difracción por rayos X (DRX) mostraron picos de difracción (100), (002) y (101) atribuidos a la estructura hexagonal del CdS._x000D_ El método de cuatro puntas indicó que la resistividad tiene una relación inversa a la_x000D_ temperatura de síntesis, para las películas de 300, 350 y 400 grados centígrados, se_x000D_ obtuvieron (resultado) cm respectivamente._x000D_ Usando el efecto hall, se determinó la densidad de portadores de carga para cada temperatura de síntesis de las películas de CdS a 300, 350 y 400 grados centígrados, obteniéndose los siguientes valores respectivamente (ver en pdf) _x000D_ .es_PE
dc.description.uriTesises_PE
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.14414/16331
dc.language.isospaes_PE
dc.publisherUniversidad Nacional de Trujilloes_PE
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_PE
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/pe/es_PE
dc.sourceUniversidad Nacional de Trujilloes_PE
dc.sourceRepositorio institucional - UNITRUes_PE
dc.subjectPortadores de cargaes_PE
dc.subjectSulfuro de Cadmioes_PE
dc.subjectRociado Pirolíticoes_PE
dc.subjectResistividades_PE
dc.subjectEfecto Halles_PE
dc.titleInfluencia de la temperatura sobre la densidad de portadores de carga de películas delgadas de CdS sintetizadas por rociado pirolíticoes_PE
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesises_PE
thesis.degree.disciplineFísicaes_PE
thesis.degree.grantorUniversidad Nacional de Trujillo.Facultad de Ciencias Físicas y Matemáticases_PE
thesis.degree.levelTítulo Profesionales_PE
thesis.degree.nameLicenciado en Físicaes_PE
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Tesis de Física