Efecto de la temperatura de recocido sobre la densidad y movilidad de portadores de carga de películas semiconductoras de nio dopadas a una concentración 3 molar con nanoparticulas de oro
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Date
2017-01
Authors
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Publisher
Universidad Nacional de Trujillo
Abstract
En esta investigación se logró evaluar el efecto de la temperatura de recocido sobre la
densidad y movilidad de portadores de carga de películas semiconductoras de NiO dopadas
a una concentración 3 Molar con nanopartículas de oro (NpAu). Se llevó a cabo el dopaje
del NiO con las nanopartículas de oro (NpAu) mediante la síntesis Sol – Gel, la fabricación
de las películas delgadas fueron elaboradas (Deposición) mediante el uso de la técnica
llamada “Spin – coating” y recocidas a diversas temperaturas (200°C, 300°C y 400°C). La
caracterización de las películas delgadas para el estudio de sus propiedades ópticas y
eléctricas se llevó a cabo mediante los ensayos de Espectroscopia de absorción en el
ultravioleta – visible y la técnica de cuatro puntas basado en el método de Lord Kelvin, el
método basado en el fenómeno de efecto Hall. A la temperature de recocido de 400°C se
logró la movilidad de portadores de carga mas apropiado, que fue 2.168 𝑐𝑚2/𝑉. 𝑠. Asi
mismo se obtuvo la mejor densidad de portadores de carga que fue 1.16𝑥1013 𝑐𝑚−3
logrado a 200°C de recocido. En conclusion se podría decir que 400°C es la temperatura
mas adecuada de recocido para el NiO dopadas a una concentración 3 Molar con
nanopartículas de oro (NpAu), ya que se mejora sus propiedades ópticas (Menor valor de la
brecha energética) y sus propiedades eléctricas (Mayor valor de la conductividad eléctrica)
Description
This research was accomplished to evaluate the effect of annealing temperature on the
number and mobility of charge carriers of NiO semiconductor films doped at a
concentration 3 Molar with gold nanoparticles (NpAu). The doping of NiO with at a
concentration 3 Molar with gold nanoparticles (NpAu) was held by synthesizing Sol -
Gel, and the manufacture of thin films were prepared (Deposition) by using of the
technique called Spin - coating and annealed at various temperatures (200 ° C, 300 ° C
and 400 ° C). The characterization of thin films to study their optical and electrical
propertiesl were carried out by testing Absorption Spectroscopy in the ultraviolet – visible
and the technique of four point based on the method of Lord Kelvin , the method based on
the Hall effect. At the annealing temperature of 400°C the mobility of carriers of more
appropriate cargo, was achieved 2.168 𝑐𝑚2/𝑉. 𝑠. Also, the best density of cargo carriers
was obtained 1.16𝑥1013 𝑐𝑚−3 achieved 200°C of annealing. In conclusion it could be
said that 400°C is the most suitable annealing temperature for the doping of NiO with at
a concentration 3 Molar with gold nanoparticles (NpAu), as it improves its optical
properties (Lower value of the energy gap) and its electrical properties (Higher value of
electrical conductivity).
Keywords
Temperatura de recocido